SKマテリアルズパフォーマンス
会社紹介
SKマテリアルズパフォーマンスは、半導体の回路を描くうえで欠かせないPhoto素材の開発・生産を行っている高分子素材研究専門企業です。絶えず革新し続ける研究開発力をベースに、半導体を超えて光に反応するディスプレイ、イメージセンサー素材分野にまで事業を広げ、最先端の未来を早めています。
SKマテリアルズパフォーマンスは、最先端の研究開発力をベースに、半導体の回路を描くリソグラフィ工程に必要な フォトレジスト、反射防止膜（BARC：Bottom Layer Anti-Reflection Coating）、ハードマスク（SOC：Spinon Carbon）などの素材を開発・供給しています。
未来成長
- 半導体の製造に欠かせない材料であるPR、BARC、SOCなどの素材を開発する中で確保したバインダー技術をもとに、半導体からディスプレイ、バッテリーなどへと技術の適用分野を拡大しています。
- 既存の半導体素材は技術の微細化に伴うEUV PRなど先端製品の開発を通じて高付加価値事業の開発を継続しており、 前工程用のPR素材に限られていたポートフォリオについては、アドバンスドパッケージ素材（めっき用PRなど）やディスプレイ用（Mini/Micro Lens）素材まで広げています。
- SOC基盤の素材をベースとして高屈折Encap、ディスプレイ用レンズなどの新規市場を準備しており、 既存のPR技術とSOC技術をもとにhigh-tech sensor市場のCIS高付加素材の領域であるカラーフィルターなどへとポートフォリオの拡張を図っています。
フォトレジスト
光や放射線エネルギーに露出されると現像液に対する溶解度の変化が生じて画像パターンを形成する材料。高分子、感光材、添加剤、溶剤から構成される液状材料です。
フォトレジストの種類
- 光源の波長によってI-line（約365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、EUV（13.5nm）に分けられ、波長の線幅が狭いほど微細な回路を描くことができます。
- 露光された領域が溶けるポジティブ型PRと露光されなかった領域が溶けるネガティブ型PRに区分されます。
- SKMPはDRAM用とNAND用の半導体を製造する時にフォトリソグラフィ工程で使用される物質で、ArF Imm. PRから後工程用の厚膜Bump PRまで多様な製品群を有しており、半導体技術の高度化と微細化に伴いEUV PR製品の開発を行っています。
フォトレジスト（PR）種類と特性
反射防止膜（BARC）
- 露光工程中に発生する基板（Substrate）からの光の散乱と反射を抑制し、パターンプロフィルの損失を小化する材料です。
- SKMPのBARCはBARC 製品はArF Imm. BARCからKrF BARCまでコーティング性に優れた製品群を有しており、高屈折率（n）を持っているため最小限の厚さでも物性を実現可能です。
ハードマスク(SOC)
- 半導体の高集積化に伴い、PRは薄くなり、パターンが小さくなるにつれて、PRパターン倒れが起きるようになります。そのため、PRパターンを利用した被食刻層のエッチングができなくなり、PRと被食刻層の間にエッチング耐性の強い代表的な物質がハードマスク（SOC）です。
- 強いエッチング耐性と平坦化の特性をもつSKMPのSOC製品は、400Åの製品群から厚さ3㎛が実現できる製品群まで多種多様なものを保有しており、顧客会社と半導体技術の発達に歩調を合わせ、工程の特性に合った優秀なSOCを開発しています。
