エッチングガス
最高の技術力をもとに世界のエッチングガス市場を先導しています。
エッチングガスの中でも精密なエッチング能力を持つモノフルオロメタン（CH3F）、六フッ化ブタジエン（C4F6）、ジフルオロメタン（CH2F2）などを生産・販売しており、今後多様なエッチングソリューションを提供するつもりです。
エッチングガスは半導体内部の回路を形成する前に回路が入る空間をエッチングするガスで、3D構造の半導体をより立体的で精密にエッチングする際に使用されます。
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ヘキサフルオロエタンC2F6
半導体の微細パターンをエッチングするために使用されます。
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四フッ化炭素CF4
酸化物膜のエッチングに使用されます。
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オクタフルオロシクロブタンC4F8
マスクに対して高い選択比を提供し、3D NAND高アスペクト比のエッチングに使用されます。
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ペンタフルオロエタンC4F6
酸化膜、窒化物膜のエッチングに使用されます。
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六フッ化ブタジエンCH3F
C4F6は微細化されるDRAMの酸化膜の微細加工（エッチング）と3D NANDフラッシュの酸化膜のエッチングにも用いられ、その需要量が急増しています。
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モノフルオロメタンC2HF5
CH3Fは3D NANDフラッシュの窒化膜エッチングに使用されるガスで、3D NANDの拡散によりその使用量が増えています。韓国では当社が初めてで唯一の生産・販売メーカーです。
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ジフルオロメタンCH2F2
CH2F2はCH3Fと共にNANDフラッシュの窒化膜エッチングに使用されるガスです。最近3D NANDの拡散によりその使用量が増えています。
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トリフルオロメタンCHF3
CHF3は3D NANDフラッシュの窒化膜のエッチングとDRAMの窒化膜の微細エッチングに使用されます。
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臭化水素HBr
HBrは半導体のエッチング工程で使用されるガスです。精密・垂直のエッチング能力に優れているため、半導体の高段化に伴って使用量が増加しています。
日本レゾナック社との協業で先進の技術を確保し、韓国の半導体市場に高品質なエッチングガスを安定的に供給しています。顧客の要求に一歩先んじた対応し、たゆまぬ研究開発を通じてエッチングガス市場をリードしてまいります。